壓力變送器從他的發(fā)明到現(xiàn)在，大體上經(jīng)歷了4個(gè)階段，分別是發(fā)明階段(1945 - 1960 年)，技術(shù)發(fā)展階段(1960 - 1970 年)，商業(yè)化集成加工階段(1970 - 1980 年)以及微機(jī)械加工階段(1980 年- 今)。
1、發(fā)明階段(1945 - 1960 年)
壓力變送器的發(fā)明階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志，此后的很長一段時(shí)間，半導(dǎo)體材料這一特性得到了廣泛的應(yīng)用。
2、技術(shù)發(fā)展階段(1960 - 1970 年)
隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展,技術(shù)人員在硅的(001) 或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種變送器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化等優(yōu)點(diǎn)，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
3、商業(yè)化集成加工階段(1970 - 1980 年)
在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅變送器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，主要有V 形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機(jī)控制自動中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕,數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進(jìn)一步降低。
4、微機(jī)械加工階段(1980 年- 今)
過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力變送器,其線度可以控制在微米級范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力變送器進(jìn)入了微米階段。
壓力變送器的主要分類：
1、差壓變送器
差壓變送器是測量兩壓腔之間所受壓力差值的壓力變送器，差壓變送器分別有“+”和“-”兩個(gè)壓腔。分別承接兩作為比較值的壓力，通常把壓力較大的一端作為“+”壓腔。
2、壓力變送器：
壓力變送器是以真空度為參考零點(diǎn)的一款壓力變送器。在使用過程中，傳感器的參考零點(diǎn)可以隨地點(diǎn)地域的變換而自動調(diào)整無需校正。外形與表壓型壓力變送器無二致。
3、表壓型壓力變送器：
表壓型壓力變送器是以當(dāng)?shù)卮髿鈮鹤鳛閰⒖剂泓c(diǎn)的壓力變送器。
4、中高溫壓力變送器：
針對測量現(xiàn)場環(huán)境溫度過高或者測量介質(zhì)溫度過高，必須使用中高溫壓力變送器，該變送器具有較好的零點(diǎn)溫度系數(shù)和靈敏度溫度系數(shù)，在溫度較高的環(huán)境下能夠保證測量精度。在訂購該類型變送器時(shí)須告知測量介質(zhì)溫度和環(huán)境溫度，以為方便制作方合理應(yīng)對。
5、投入/插入式液位變送器：
液位變送器分為投入式和插入式兩種，兩種形式無二致，都是把所受壓力轉(zhuǎn)換為液深。當(dāng)水深為1m時(shí)，變送器所受壓力為10KPa,訂購此類傳感器時(shí)就注意：
1．所測量液體密度應(yīng)告知生產(chǎn)單位。
2．當(dāng)測量介質(zhì)具有腐蝕性時(shí)應(yīng)告知生產(chǎn)單位。
3．當(dāng)測量介質(zhì)溫度超出過低或過高時(shí)就告知生產(chǎn)單位。
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